多层陶瓷片式电容器(MLCC)的体积很小，有利于实现小型化。然而，考虑ESD保护、EM干扰和热管理等因素，以及与这些因素相关的典型特性和漂移，也是很重要的。虽然越来越多的开发人员使用数字工具来简化选择组件的过程，但仍然需要考虑到上述各个方面，才能够快速实现设计目标并避免不必要的重复设计。
首先，建议用户在缩小尺寸时，不要简单地沿用MLCC的现值组合，尤其是在电容(C值)和电压方面，而是要根据应用的实际需求甚至单个组件的功能来做出决定。理想情况下，应当考虑供应商的首选型款。除了C值和电压外，其他的重要数值还包括阻抗和等效串联电阻(ESR)。
特别是对于高电容(hi-cap)器件，即C值以μF为单位的MLCC产品，其直流偏置效应也是需要考虑的重要因素。直流偏置是基于施加的直流电压而导致电容降低的效应。在额定电压下，电容有可能下降到标称值的20%左右，具体数值取决于组件，因此在操作期间必须注意绝对最小C值。
图1显示了多个直流偏置曲线示例，表明使用较小的组件可使直流偏置率提高很多。
影响直流偏置性能的另一个因素是工作温度，如图2的图表所示，对于标称值较高的较小结构MLCC电容，直流偏置的剩余电容和温度远远高于标称值较低的较大结构MLCC电容。
在针对标C值MLCC进行分级时，开发人员应根据基本指导数值(表1至3)进行选择，这表示，在理想情况下应仅使用具有标准容差的首选数值。事实上，用户已经不用再关注Z5U和Y5V陶瓷类型电容了，因为这类器件逐渐停产，实际上有些已经停产了。
除了直流偏置问题外，二类陶瓷电容器(如 X7R 和 X5R)还需要考虑温度漂移和老化问题。
使用表4可以比较容易确定温度漂移。例如，这个表格显示X5R MLCC在–55°C 至+85°C的温度范围内具有±15%的可预测温度漂移。
MLCC——它们也会老化
老化现象会导致MLCC的电容值随着时间的推移而损失，在每个对数尺度差距(per logarithmic decade)下的损失大约在1%到6%之间，这意味着我们可以按此估算1小时后、10小时后、100小时后的电容数值损失，依此类推。因此，MLCC的C值越高且内层越薄，MLCC就越容易老化。也就是说，与直流偏置和温度漂移的影响相比，老化基本上是可以忽略不计的因素，尽管它在测量用于容差测试的C值时发挥关键作用。
与生物的老化不同，MLCC器件的老化是可逆转的。适当的加热处理可以逆转老化效应。为了实现去老化，MLCC组件通常会放置在+150°C温度下1小时，然后静置24小时。电焊操作也可以去老化。
从整体来看各种C值漂移，很明显应该提倡使用标称容差范围为±10%的二类电容器， 而不是标准容差范围为±5%的，即使一些供应商仍然提供和交付标准容差范围为±5%的电容产品。这会引起对于是否遵守容差范围的无意义辩论。在测量过程中，用户经常无法满足有关测量设备和测量条件的要求。例如测量电压(通常定义为1.0 V的有效值)在测量过程中出现下降，从而导致显示的电容值过低。
最好根据电压要求留有余地
指定电压通常是直流电压(即使没有明确标示)。如果该数值为交流电压则会标明，例如“250 V AC”。供应商通常会在其详细数据表或规格/应用信息中提供其他的详细信息，例如与纹波电流或峰峰值相关的信息。需要注意的是，具有相同C 值但介电强度更高(不考虑可预测性或错误率方面)的MLCC往往具有更厚的内层，从而减弱了直流偏置效应。
也就是说，一些供应商继续为目前支持50 V电压的电容器提供较低电压规格。 在这两种情况中，规格超过电压要求都不是问题，例如，对于16V电压要求，可以使用指定规范电压为25 V或50 V的MLCC电容器。
除了此处考虑的基本参数外，在选择MLCC组件时还有许多其他方面的因素，例如，取决于应用和使用领域的所需质量水平或特性。此类特性可能包括汽车等级要求(通常符合AEC-Q200标准)或软端接要求(也称为flexiterm、抗挠裂、树脂外部电极和聚合物端接，以及其他类似表达)，可以防止在弯曲PCB时形成明显可见的裂缝(图 4)。
实现小型化的动力
小型化背后的动机还有其他含义；虽然业界一直推动现代电子产品提供越来越多的性能以满足要求，这日益限制了PCB上的空间，然而，现今推动小型化的主要因素更有可能是供货和成本效益(图5)，尤其是在供应商之间。对于开发人员来说，这意味着他们越来越需要适应供应商的步伐，如果他们想保持灵活性和成本效益，就必须留出足够的余地，以便在需要时可找到替代品，而双来源采购是实现这一目标的关键。在充满挑战的市场条件下尤其如此，这种情况总是会出现，即使只是暂时的。
