除了高开关速度外，这两种类型RF开关还提供高达26dBm输入功率的高线性度、低插入损耗和高达6GHz的端口到端口高隔离度。其低耗电量可进一步节省系统级的功耗。
这些RF开关采用英飞凌的专利MOS技术制造，具有砷化镓(GaAs)开关的性能，并具有传统CMOS(互补金属氧化物半导体)开关的经济性、集成度和静电放电(ESD)鲁棒性。与采用GaAs技术的开关不同，这些RF开关只有当外部施加直流电压时，才需要在RF端口上使用外部隔直电容器。
BGS12WN6是具有两个端口的单刀双掷(SPDT)分集开关，而BGS14WMA9是包括四个RF端口的单刀四掷(SP4T)开关，每个端口都可以用作分集天线的终端，可处理高达26dBm功率。
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